شماره محصول سازنده:
RN4990FE,LF(CT
Product Overview
تولید کننده:
Toshiba Semiconductor and Storage
شماره قطعه:
RN4990FE,LF(CT-DG
توضیحات:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
شرح مفصل:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
موجودی:
12891092
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
aBS6
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
RN4990FE,LF(CT مشخصات فنی
دسته‌بندی
بایپولار (BJT), آرایه‌های ترانزیستور دو قطبی، پیش‌پیش‌باز
تولید کننده
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
-
وضعیت محصول
Active
نوع ترانزیستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
جریان - کلکتور (Ic) (حداکثر)
100mA
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)
50V
مقاومت - پایه (R1)
4.7kOhms
مقاومت - پایه امیتر (R2)
-
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce
120 @ 1mA, 5V
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
جریان - قطع کلکتور (حداکثر)
100nA (ICBO)
فرکانس - انتقال
250MHz, 200MHz
قدرت - حداکثر
100mW
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
SOT-563, SOT-666
بسته دستگاه تامین کننده
ES6
شماره محصول پایه
RN4990
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
RN4990FELF(CBDKR-DG
RN4990FE(T5LFT)DKR
RN4990FELF(CTCT
RN4990FELF(CTDKR
RN4990FELF(CBTR
RN4990FE(T5LFT)TR-DG
RN4990FELF(CBCT-DG
RN4990FE(T5LFT)TR
RN4990FE,LF(CB
RN4990FELF(CBTR-DG
RN4990FE(T5LFT)DKR-DG
RN4990FE(T5L,F,T)
RN4990FELF(CBDKR
RN4990FE(T5LFT)CT-DG
RN4990FELF(CBCT
RN4990FELF(CTTR
RN4990FE(T5LFT)CT
بسته استاندارد
4,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
مدل‌های جایگزین
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
RN2507(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN4983,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1911FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6