EMH3T2R
شماره محصول سازنده:

EMH3T2R

Product Overview

تولید کننده:

Rohm Semiconductor

شماره قطعه:

EMH3T2R-DG

توضیحات:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
شرح مفصل:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

موجودی:

528 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
13521842
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
num_del num_add
*
*
*
*
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال

EMH3T2R مشخصات فنی

دسته‌بندی
بایپولار (BJT), آرایه‌های ترانزیستور دو قطبی، پیش‌پیش‌باز
تولید کننده
ROHM Semiconductor
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
-
وضعیت محصول
Active
نوع ترانزیستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
جریان - کلکتور (Ic) (حداکثر)
100mA
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)
50V
مقاومت - پایه (R1)
4.7kOhms
مقاومت - پایه امیتر (R2)
-
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce
100 @ 1mA, 5V
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
جریان - قطع کلکتور (حداکثر)
-
فرکانس - انتقال
250MHz
قدرت - حداکثر
150mW
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
SOT-563, SOT-666
بسته دستگاه تامین کننده
EMT6
شماره محصول پایه
EMH3T2

برگ اطلاعات و مستندات

منابع طراحی
اسناد قابلیت اطمینان
برگه های داده

اطلاعات بیشتر

نام های دیگر
EMH3T2R-ND
EMH3T2RTR
EMH3T2RCT
EMH3T2RDKR
بسته استاندارد
8,000

طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات

وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

مدل‌های جایگزین

شماره قسمت
PEMD6,115
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
4000
DiGi شماره قطعه
PEMD6,115-DG
قیمت واحد
0.06
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
RN1910FE,LF(CT
تولیدکننده
Toshiba Semiconductor and Storage
تعداد موجود
4750
DiGi شماره قطعه
RN1910FE,LF(CT-DG
قیمت واحد
0.02
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
rohm-semi

EMD22T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMB61T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMB9T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMB51T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6