شماره محصول سازنده:
EMH3T2R
Product Overview
تولید کننده:
Rohm Semiconductor
شماره قطعه:
EMH3T2R-DG
توضیحات:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
شرح مفصل:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
موجودی:
528 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
13521842
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
EMH3T2R مشخصات فنی
دسته‌بندی
بایپولار (BJT), آرایه‌های ترانزیستور دو قطبی، پیش‌پیش‌باز
تولید کننده
ROHM Semiconductor
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
-
وضعیت محصول
Active
نوع ترانزیستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
جریان - کلکتور (Ic) (حداکثر)
100mA
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)
50V
مقاومت - پایه (R1)
4.7kOhms
مقاومت - پایه امیتر (R2)
-
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce
100 @ 1mA, 5V
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
جریان - قطع کلکتور (حداکثر)
-
فرکانس - انتقال
250MHz
قدرت - حداکثر
150mW
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
SOT-563, SOT-666
بسته دستگاه تامین کننده
EMT6
شماره محصول پایه
EMH3T2
برگ اطلاعات و مستندات
منابع طراحی
اسناد قابلیت اطمینان
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
EMH3T2R-ND
EMH3T2RTR
EMH3T2RCT
EMH3T2RDKR
بسته استاندارد
8,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
PEMD6,115
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
4000
DiGi شماره قطعه
PEMD6,115-DG
قیمت واحد
0.06
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
RN1910FE,LF(CT
تولیدکننده
Toshiba Semiconductor and Storage
تعداد موجود
4750
DiGi شماره قطعه
RN1910FE,LF(CT-DG
قیمت واحد
0.02
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
