شماره محصول سازنده:
FQA9N90C
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQA9N90C-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
شرح مفصل:
N-Channel 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3P
موجودی:
12850100
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQA9N90C مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
900 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
9A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
2730 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
280W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-3P
بسته بندی / مورد
TO-3P-3, SC-65-3
شماره محصول پایه
FQA9
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
450
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
STW11NK90Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
550
DiGi شماره قطعه
STW11NK90Z-DG
قیمت واحد
3.17
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FQD7P20TF
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
AOB12N60FDL
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
FDG315N
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
