شماره محصول سازنده:
FDG315N
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDG315N-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
شرح مفصل:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
موجودی:
12850111
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
JBUM
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDG315N مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
30 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
2A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
120mOhm @ 2A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
220 pF @ 15 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
750mW (Ta)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
SC-88 (SC-70-6)
بسته بندی / مورد
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
شماره محصول پایه
FDG315
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
2832-FDG315NTR
FDG315NCT
FDG315N-DG
FDG315NDKR
FDG315NTR
بسته استاندارد
3,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
IRF840B
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
FQD6N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
