شماره محصول سازنده:
IRF830AL
Product Overview
تولید کننده:
Vishay Siliconix
شماره قطعه:
IRF830AL-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
شرح مفصل:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK
موجودی:
13049710
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
IRF830AL مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Vishay
بسته بندی
-
سری
-
بسته بندی
Tube
وضعیت قطعه
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
500 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4.5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
620 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
I2PAK
بسته بندی / مورد
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
شماره محصول پایه
IRF830
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
*IRF830AL
بسته استاندارد
50
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
RoHS non-compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
IRF830ALPBF
تولیدکننده
Vishay Siliconix
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IRF830ALPBF-DG
قیمت واحد
0.89
نوع جایگزین
Direct
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
2N6661JTXP02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
IRF840SPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK