شماره محصول سازنده:
IRFUC20PBF
Product Overview
تولید کننده:
Vishay Siliconix
شماره قطعه:
IRFUC20PBF-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
موجودی:
7 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12913094
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
qBA7
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
IRFUC20PBF مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Vishay
بسته بندی
Tube
سری
-
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
2A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
350 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-251AA
بسته بندی / مورد
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
شماره محصول پایه
IRFUC20
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
*IRFUC20PBF
بسته استاندارد
75
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
STD2HNK60Z-1
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
3054
DiGi شماره قطعه
STD2HNK60Z-1-DG
قیمت واحد
0.51
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STU2N62K3
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
3000
DiGi شماره قطعه
STU2N62K3-DG
قیمت واحد
0.52
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
TK2Q60D(Q)
تولیدکننده
Toshiba Semiconductor and Storage
تعداد موجود
190
DiGi شماره قطعه
TK2Q60D(Q)-DG
قیمت واحد
0.28
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
IRL630STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
SI4858DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
SI4866DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
