خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
TPW1R005PL,L1Q
Product Overview
تولید کننده:
Toshiba Semiconductor and Storage
شماره قطعه:
TPW1R005PL,L1Q-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
شرح مفصل:
N-Channel 45 V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
موجودی:
13883 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12890354
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
Y
4
9
C
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
TPW1R005PL,L1Q مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
U-MOSIX-H
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
45 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
300A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
2.4V @ 1mA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
9600 pF @ 22.5 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
960mW (Ta), 170W (Tc)
دمای عملیاتی
175°C
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
8-DSOP Advance
بسته بندی / مورد
8-PowerWDFN
شماره محصول پایه
TPW1R005
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
TPW1R005PL Datasheet
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
TPW1R005PLL1QCT
TPW1R005PL,L1Q(M
TPW1R005PLL1QTR
TPW1R005PLL1QDKR
بسته استاندارد
5,000
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
RoHS Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
TPCA8105(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 12V 6A 8SOP
TK7A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
TK30A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
TK8P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK