شماره محصول سازنده:
TPH1110FNH,L1Q
Product Overview
تولید کننده:
Toshiba Semiconductor and Storage
شماره قطعه:
TPH1110FNH,L1Q-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
شرح مفصل:
N-Channel 250 V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
موجودی:
11608 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12890946
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
ttZx
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
TPH1110FNH,L1Q مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
U-MOSVIII-H
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
250 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
10A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
112mOhm @ 5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 300µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1100 pF @ 100 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
دمای عملیاتی
150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
8-SOP Advance (5x5)
بسته بندی / مورد
8-PowerVDFN
شماره محصول پایه
TPH1110
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
TPH1110FNH,L1QDKR-DG
TPH1110FNHL1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-DG
TPH1110FNH,L1QDKR
TPH1110FNH,L1Q(M
TPH1110FNHL1QTR
TPH1110FNH,L1QTR-DG
TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QTR
TPH1110FNHL1QDKR
بسته استاندارد
5,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
RoHS Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
SSM6J801R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
TPCA8045-H(T2L1,VM
MOSFET N-CH 40V 46A 8SOP
TPH3300CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
