خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
TPH1110FNH,L1Q
Product Overview
تولید کننده:
Toshiba Semiconductor and Storage
شماره قطعه:
TPH1110FNH,L1Q-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
شرح مفصل:
N-Channel 250 V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
موجودی:
11608 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12890946
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
3
F
4
P
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
TPH1110FNH,L1Q مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
U-MOSVIII-H
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
250 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
10A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
112mOhm @ 5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 300µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1100 pF @ 100 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
دمای عملیاتی
150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
8-SOP Advance (5x5)
بسته بندی / مورد
8-PowerVDFN
شماره محصول پایه
TPH1110
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
TPH1110FNH
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
TPH1110FNH,L1QDKR-DG
TPH1110FNHL1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-DG
TPH1110FNH,L1QDKR
TPH1110FNH,L1Q(M
TPH1110FNHL1QTR
TPH1110FNH,L1QTR-DG
TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QTR
TPH1110FNHL1QDKR
بسته استاندارد
5,000
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
RoHS Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
SSM6J801R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
TPCA8045-H(T2L1,VM
MOSFET N-CH 40V 46A 8SOP
TPH3300CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
TPC8113(TE12L,Q)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP