شماره محصول سازنده:
TK39N60W,S1VF
Product Overview
تولید کننده:
Toshiba Semiconductor and Storage
شماره قطعه:
TK39N60W,S1VF-DG
توضیحات:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
موجودی:
6 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12891305
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
TTU2
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
TK39N60W,S1VF مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
بسته بندی
Tube
سری
DTMOSIV
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
38.8A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3.7V @ 1.9mA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
4100 pF @ 300 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
270W (Tc)
دمای عملیاتی
150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-247
بسته بندی / مورد
TO-247-3
شماره محصول پایه
TK39N60
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
TK39N60WS1VF
TK39N60W,S1VF(S
بسته استاندارد
30
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
FCH067N65S3-F155
تولیدکننده
onsemi
تعداد موجود
900
DiGi شماره قطعه
FCH067N65S3-F155-DG
قیمت واحد
5.11
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IXTH48N65X2
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
272
DiGi شماره قطعه
IXTH48N65X2-DG
قیمت واحد
5.48
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IPW65R048CFDAFKSA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
80
DiGi شماره قطعه
IPW65R048CFDAFKSA1-DG
قیمت واحد
7.59
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
2SK2962,T6WNLF(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
SSM3J15FV,L3F
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
