شماره محصول سازنده:
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Product Overview
تولید کننده:
Toshiba Semiconductor and Storage
شماره قطعه:
TJ60S04M3L(T6L1,NQ-DG
توضیحات:
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
شرح مفصل:
P-Channel 40 V 60A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
موجودی:
1612 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12889380
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
PERe
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
TJ60S04M3L(T6L1,NQ مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
U-MOSVI
وضعیت محصول
Active
نوع FET
P-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
40 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
60A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
6.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3V @ 1mA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
+10V, -20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
6510 pF @ 10 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
90W (Tc)
دمای عملیاتی
175°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
DPAK+
بسته بندی / مورد
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
شماره محصول پایه
TJ60S04
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
TJ60S04M3L(T6L1NQ
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR
TJ60S04M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S04M3LT6L1NQ
بسته استاندارد
2,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
SSM6K411TU(TE85L,F
MOSFET N-CH 20V 10A UF6
SSM3J338R,LF
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
2SK3662(F)
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
