شماره محصول سازنده:
SSM3J66MFV,L3XHF
Product Overview
تولید کننده:
Toshiba Semiconductor and Storage
شماره قطعه:
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
توضیحات:
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
شرح مفصل:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
موجودی:
14411 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12996440
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
ocS6
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
SSM3J66MFV,L3XHF مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
U-MOSVI
وضعیت محصول
Active
نوع FET
P-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
20 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
800mA (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
1.2V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
1V @ 1mA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (حداکثر)
+6V, -8V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
100 pF @ 10 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
150mW (Ta)
دمای عملیاتی
150°C
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
VESM
بسته بندی / مورد
SOT-723
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR
264-SSM3J66MFVL3XHFTR
264-SSM3J66MFVL3XHFDKR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR-DG
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR-DG
264-SSM3J66MFVL3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT-DG
بسته استاندارد
8,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
SI2102A-TP
N-CHANNEL MOSFET
PSMN018-100ESFQ
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
R8009KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
