شماره محصول سازنده:
RN1105MFV,L3F
Product Overview
تولید کننده:
Toshiba Semiconductor and Storage
شماره قطعه:
RN1105MFV,L3F-DG
توضیحات:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
شرح مفصل:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
موجودی:
12889116
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
faK5
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
RN1105MFV,L3F مشخصات فنی
دسته‌بندی
بایپولار (BJT), ترانزیستورهای دوقطبی پیش‌سنجه‌ای تکی
تولید کننده
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
بسته بندی
-
سری
-
وضعیت محصول
Active
نوع ترانزیستور
NPN - Pre-Biased
جریان - کلکتور (Ic) (حداکثر)
100 mA
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)
50 V
مقاومت - پایه (R1)
2.2 kOhms
مقاومت - پایه امیتر (R2)
47 kOhms
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce
80 @ 10mA, 5V
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 5mA
جریان - قطع کلکتور (حداکثر)
500nA
قدرت - حداکثر
150 mW
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
SOT-723
بسته دستگاه تامین کننده
VESM
شماره محصول پایه
RN1105
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
RN1105MFV(TL3T)TR
RN1105MFV,L3FCT
RN1105MFVTL3T
RN1105MFV(TL3T)DKR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT-DG
RN1105MFV,L3F(B
RN1105MFV,L3FTR
RN1105MFV(TL3T)DKR
RN1105MFV(TL3T)TR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT
RN1105MFV,L3F(T
RN1105MFV,L3FDKR
RN1105MFV(TL3,T)
بسته استاندارد
8,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
RoHS Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
NSVDTC123JM3T5G
تولیدکننده
onsemi
تعداد موجود
8000
DiGi شماره قطعه
NSVDTC123JM3T5G-DG
قیمت واحد
0.03
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
RN2302,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN2303(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
RN1408,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
