شماره محصول سازنده:
RS1E320GNTB
Product Overview
تولید کننده:
Rohm Semiconductor
شماره قطعه:
RS1E320GNTB-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
شرح مفصل:
N-Channel 30 V 38A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
موجودی:
13527229
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
4NGE
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
RS1E320GNTB مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
ROHM Semiconductor
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
-
وضعیت محصول
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
30 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
38A (Ta), 80A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
1.9mOhm @ 32A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
2.5V @ 1mA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
42.8 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
2850 pF @ 15 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
3W (Ta), 34W (Tc)
دمای عملیاتی
150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
8-HSOP
بسته بندی / مورد
8-PowerTDFN
شماره محصول پایه
RS1E
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
RS1E320GNTBCT
RS1E320GNTBTR
RS1E320GNTBDKR
بسته استاندارد
2,500
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
FDMC7660S
تولیدکننده
Fairchild Semiconductor
تعداد موجود
9685
DiGi شماره قطعه
FDMC7660S-DG
قیمت واحد
0.56
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
BSC020N03MSGATMA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
32523
DiGi شماره قطعه
BSC020N03MSGATMA1-DG
قیمت واحد
0.55
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
BSC0902NSATMA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
8545
DiGi شماره قطعه
BSC0902NSATMA1-DG
قیمت واحد
0.41
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
R6015KNJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
RSJ400N06TL
MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
