خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
جمهوری دموکراتیک کنگو
آرژانتین
ترکیه
رومانی
لیتوانی
نروژ
اتریش
آنگولا
اسلواکی
ltaly
فنلاند
بيلوروسي
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
مونته نگرو
روسی
بلژیک
سوئد
صربستان
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
مولدووا
آلمان
هلند
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
فرانسه
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
پرتغال
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
اسپانیا
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
R6076MNZ1C9
Product Overview
تولید کننده:
Rohm Semiconductor
شماره قطعه:
R6076MNZ1C9-DG
توضیحات:
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 76A (Tc) 740W (Tc) Through Hole TO-247
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
13524412
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
R6076MNZ1C9 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
ROHM Semiconductor
بسته بندی
-
سری
-
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
76A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
55mOhm @ 38A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 1mA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
7000 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
740W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-247
بسته بندی / مورد
TO-247-3
شماره محصول پایه
R6076
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
R6076MNZ1
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
450
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
IXFX80N60P3
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
3
DiGi شماره قطعه
IXFX80N60P3-DG
قیمت واحد
11.27
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STW65N65DM2AG
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
393
DiGi شماره قطعه
STW65N65DM2AG-DG
قیمت واحد
5.65
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STW56N60M2
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
31
DiGi شماره قطعه
STW56N60M2-DG
قیمت واحد
4.61
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STY60NM60
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
STY60NM60-DG
قیمت واحد
13.47
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STW57N65M5-4
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
33
DiGi شماره قطعه
STW57N65M5-4-DG
قیمت واحد
6.48
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
RS1E321GNTB1
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
RD3H160SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
R6047ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
RSS125N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP