شماره محصول سازنده:
EMB4T2R
Product Overview
تولید کننده:
Rohm Semiconductor
شماره قطعه:
EMB4T2R-DG
توضیحات:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
شرح مفصل:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
موجودی:
13522782
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
EMB4T2R مشخصات فنی
دسته‌بندی
بایپولار (BJT), آرایه‌های ترانزیستور دو قطبی، پیش‌پیش‌باز
تولید کننده
ROHM Semiconductor
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
-
وضعیت محصول
Active
نوع ترانزیستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
جریان - کلکتور (Ic) (حداکثر)
100mA
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)
50V
مقاومت - پایه (R1)
10kOhms
مقاومت - پایه امیتر (R2)
-
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce
100 @ 1mA, 5V
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib ، Ic
300mV @ 1mA, 10mA
جریان - قطع کلکتور (حداکثر)
-
فرکانس - انتقال
250MHz
قدرت - حداکثر
150mW
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
SOT-563, SOT-666
بسته دستگاه تامین کننده
EMT6
شماره محصول پایه
EMB4T2
برگ اطلاعات و مستندات
منابع طراحی
اسناد قابلیت اطمینان
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND
بسته استاندارد
8,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
RN2911FE(TE85L,F)
تولیدکننده
Toshiba Semiconductor and Storage
تعداد موجود
3975
DiGi شماره قطعه
RN2911FE(TE85L,F)-DG
قیمت واحد
0.04
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
