EMB4T2R
شماره محصول سازنده:

EMB4T2R

Product Overview

تولید کننده:

Rohm Semiconductor

شماره قطعه:

EMB4T2R-DG

توضیحات:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
شرح مفصل:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

موجودی:

13522782
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
num_del num_add
*
*
*
*
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال

EMB4T2R مشخصات فنی

دسته‌بندی
بایپولار (BJT), آرایه‌های ترانزیستور دو قطبی، پیش‌پیش‌باز
تولید کننده
ROHM Semiconductor
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
-
وضعیت محصول
Active
نوع ترانزیستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
جریان - کلکتور (Ic) (حداکثر)
100mA
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)
50V
مقاومت - پایه (R1)
10kOhms
مقاومت - پایه امیتر (R2)
-
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce
100 @ 1mA, 5V
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib ، Ic
300mV @ 1mA, 10mA
جریان - قطع کلکتور (حداکثر)
-
فرکانس - انتقال
250MHz
قدرت - حداکثر
150mW
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
SOT-563, SOT-666
بسته دستگاه تامین کننده
EMT6
شماره محصول پایه
EMB4T2

برگ اطلاعات و مستندات

منابع طراحی
اسناد قابلیت اطمینان
برگه های داده

اطلاعات بیشتر

نام های دیگر
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND
بسته استاندارد
8,000

طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات

وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

مدل‌های جایگزین

شماره قسمت
RN2911FE(TE85L,F)
تولیدکننده
Toshiba Semiconductor and Storage
تعداد موجود
3975
DiGi شماره قطعه
RN2911FE(TE85L,F)-DG
قیمت واحد
0.04
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
rohm-semi

EMB6T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMA11T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

rohm-semi

EMD53T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMG1T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5