شماره محصول سازنده:
RFD16N05
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
RFD16N05-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
شرح مفصل:
N-Channel 50 V 16A (Tc) 72W (Tc) Through Hole I-PAK
موجودی:
12840400
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
RFD16N05 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
-
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
50 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
16A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
47mOhm @ 16A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
80 nC @ 20 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
900 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
72W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
I-PAK
بسته بندی / مورد
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
شماره محصول پایه
RFD16
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
RFD16N05-NDR
بسته استاندارد
75
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
NTTFS5C453NLTAG
MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
