شماره محصول سازنده:
NDC631N
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
NDC631N-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
شرح مفصل:
N-Channel 20 V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
موجودی:
12841800
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
NDC631N مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
-
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
20 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
4.1A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
2.7V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
60mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
1V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (حداکثر)
8V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
365 pF @ 10 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
1.6W (Ta)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
SuperSOT™-6
بسته بندی / مورد
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
شماره محصول پایه
NDC631
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
3,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
2SK066500L
MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI3-G1
BSZ058N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
NTHD3101FT1G
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
