خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FQPF3N25
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQPF3N25-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F
شرح مفصل:
N-Channel 250 V 2.3A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220F-3
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12839421
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQPF3N25 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
250 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
2.3A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
2.2Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
170 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
27W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220F-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3 Full Pack
شماره محصول پایه
FQPF3
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FQPF3N25
برگه داده HTML
FQPF3N25-DG
برگه های داده
FQPF3N25
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
2832-FQPF3N25
بسته استاندارد
1,000
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDS7088N7
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
FDPF20N50FT
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
FCPF125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
FQP90N10V2
MOSFET N-CH 100V 90A TO220-3