شماره محصول سازنده:
FQP9N08L
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQP9N08L-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
12847026
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQP9N08L مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
80 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
9.3A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
210mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
280 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
40W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FQP9
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
1,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FCP650N80Z
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
FCPF190N65S3L1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
