شماره محصول سازنده:
FQP7N20L
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQP7N20L-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
12849482
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQP7N20L مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
200 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
6.5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
750mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
2V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
500 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
63W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FQP7
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
1,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDS8812NZ
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
AOTF2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/22A TO220-3F
FCP600N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
