شماره محصول سازنده:
FQP4N90C
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQP4N90C-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
12838746
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQP4N90C مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
900 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
4A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
960 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
140W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FQP4
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
2832-FQP4N90C
بسته استاندارد
50
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
STP3NK90Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
361
DiGi شماره قطعه
STP3NK90Z-DG
قیمت واحد
0.77
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
FQP9N90C
تولیدکننده
onsemi
تعداد موجود
194
DiGi شماره قطعه
FQP9N90C-DG
قیمت واحد
1.69
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
IXTP3N120
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IXTP3N120-DG
قیمت واحد
4.06
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDP070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
HUFA76443S3S
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK