خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FQP4N50
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQP4N50-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 500V 3.4A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 500 V 3.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12848776
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQP4N50 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
500 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
3.4A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
2.7Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
460 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
70W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FQP4
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FQP4N50
برگه داده HTML
FQP4N50-DG
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
1,000
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
STP5NK50Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
1682
DiGi شماره قطعه
STP5NK50Z-DG
قیمت واحد
0.59
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STU4N52K3
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
2513
DiGi شماره قطعه
STU4N52K3-DG
قیمت واحد
0.45
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
IPD30N03S2L20ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
FQA11N90
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
FDA8440
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
NTD110N02R-001
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK