خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
جمهوری دموکراتیک کنگو
آرژانتین
ترکیه
رومانی
لیتوانی
نروژ
اتریش
آنگولا
اسلواکی
ltaly
فنلاند
بيلوروسي
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
مونته نگرو
روسی
بلژیک
سوئد
صربستان
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
مولدووا
آلمان
هلند
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
فرانسه
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
پرتغال
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
اسپانیا
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FQP16N25
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQP16N25-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 250 V 16A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12846376
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQP16N25 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
250 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
16A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
230mOhm @ 8A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1200 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
142W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FQP16
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FQP16N25
برگه داده HTML
FQP16N25-DG
برگه های داده
FQP16N25
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FQP16N25FS
FQP16N25-DG
بسته استاندارد
50
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
IRF644PBF
تولیدکننده
Vishay Siliconix
تعداد موجود
1392
DiGi شماره قطعه
IRF644PBF-DG
قیمت واحد
0.65
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
TK13E25D,S1X(S
تولیدکننده
Toshiba Semiconductor and Storage
تعداد موجود
44
DiGi شماره قطعه
TK13E25D,S1X(S-DG
قیمت واحد
0.86
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STP17NF25
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
2020
DiGi شماره قطعه
STP17NF25-DG
قیمت واحد
0.55
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
RCX120N25
تولیدکننده
Rohm Semiconductor
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
RCX120N25-DG
قیمت واحد
1.05
نوع جایگزین
Direct
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDV301N_D87Z
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FQPF12N60T
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
AON6408L
MOSFET N-CH 30V 14.5A/25A 8DFN
FQP46N15
MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3