شماره محصول سازنده:
FQP16N25
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQP16N25-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 250 V 16A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
12846376
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQP16N25 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
250 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
16A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
230mOhm @ 8A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1200 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
142W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FQP16
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FQP16N25FS
FQP16N25-DG
بسته استاندارد
50
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
IRF644PBF
تولیدکننده
Vishay Siliconix
تعداد موجود
1392
DiGi شماره قطعه
IRF644PBF-DG
قیمت واحد
0.65
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
TK13E25D,S1X(S
تولیدکننده
Toshiba Semiconductor and Storage
تعداد موجود
44
DiGi شماره قطعه
TK13E25D,S1X(S-DG
قیمت واحد
0.86
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STP17NF25
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
2020
DiGi شماره قطعه
STP17NF25-DG
قیمت واحد
0.55
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
RCX120N25
تولیدکننده
Rohm Semiconductor
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
RCX120N25-DG
قیمت واحد
1.05
نوع جایگزین
Direct
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDV301N_D87Z
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FQPF12N60T
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
AON6408L
MOSFET N-CH 30V 14.5A/25A 8DFN
