شماره محصول سازنده:
FQP11N40
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQP11N40-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
12849672
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQP11N40 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
400 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
11.4A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
480mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
147W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FQP1
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
1,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
IXFP12N50P
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
300
DiGi شماره قطعه
IXFP12N50P-DG
قیمت واحد
1.71
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STP11NK40Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
78
DiGi شماره قطعه
STP11NK40Z-DG
قیمت واحد
0.75
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IRFB11N50APBF
تولیدکننده
Vishay Siliconix
تعداد موجود
2122
DiGi شماره قطعه
IRFB11N50APBF-DG
قیمت واحد
0.98
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
FDP5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
FDC365P
MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6
