شماره محصول سازنده:
FQAF22P10
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FQAF22P10-DG
توضیحات:
MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF
شرح مفصل:
P-Channel 100 V 16.6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3PF
موجودی:
12847241
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FQAF22P10 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
QFET®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
P-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
100 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
16.6A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
125mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1500 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
70W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-3PF
بسته بندی / مورد
TO-3P-3 Full Pack
شماره محصول پایه
FQAF2
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
30
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FCPF11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AOB2502L
MOSFET N-CH 150V 106A TO263
NVMFS5C450NLT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN