شماره محصول سازنده:
FDY4001CZ
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDY4001CZ-DG
توضیحات:
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A SOT563F
شرح مفصل:
Mosfet Array 20V 200mA, 150mA 446mW Surface Mount SOT-563F
موجودی:
12849827
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
zRv3
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDY4001CZ مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستور اثر میدان (FET)، آرایه های MOSFET
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Obsolete
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
پیکربندی
N and P-Channel
ویژگی FET
Logic Level Gate
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
20V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
200mA, 150mA
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
1.5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
60pF @ 10V
قدرت - حداکثر
446mW
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
SOT-563, SOT-666
بسته دستگاه تامین کننده
SOT-563F
شماره محصول پایه
FDY40
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDY4001CZDKR
FDY4001CZTR
FDY4001CZCT
بسته استاندارد
3,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
FDY4000CZ
تولیدکننده
onsemi
تعداد موجود
11466
DiGi شماره قطعه
FDY4000CZ-DG
قیمت واحد
0.12
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
SI1035X-T1-GE3
تولیدکننده
Vishay Siliconix
تعداد موجود
6387
DiGi شماره قطعه
SI1035X-T1-GE3-DG
قیمت واحد
0.12
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
AON6812
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8DFN
AO4884L_001
MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
FDMA1023PZ
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
