شماره محصول سازنده:
FDW2520C
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDW2520C-DG
توضیحات:
MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP
شرح مفصل:
Mosfet Array 20V 6A, 4.4A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
موجودی:
12921099
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDW2520C مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستور اثر میدان (FET)، آرایه های MOSFET
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Obsolete
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
پیکربندی
N and P-Channel
ویژگی FET
Logic Level Gate
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
20V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
6A, 4.4A
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
1.5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
20nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1325pF @ 10V
قدرت - حداکثر
600mW
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
بسته دستگاه تامین کننده
8-TSSOP
شماره محصول پایه
FDW25
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDW2520CCT
FDW2520CDKR
FDW2520CTR
بسته استاندارد
2,500
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
ZXMN3AM832TA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
SQ4937EY-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
SI8902AEDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6MICRO FOOT
