شماره محصول سازنده:
FDU6512A
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDU6512A-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
شرح مفصل:
N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Through Hole I-PAK
موجودی:
12847498
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDU6512A مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
20 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
10.7A (Ta), 36A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
2.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
1.5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (حداکثر)
±12V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1082 pF @ 10 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
3.8W (Ta), 43W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
I-PAK
بسته بندی / مورد
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
شماره محصول پایه
FDU65
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
1,800
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
MCH3477-TL-H
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70
FDMC2523P
MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
ISL9N302AS3ST
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
