FDS8958A
شماره محصول سازنده:

FDS8958A

Product Overview

تولید کننده:

onsemi

شماره قطعه:

FDS8958A-DG

توضیحات:

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
شرح مفصل:
Mosfet Array 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SOIC

موجودی:

613 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12838482
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
num_del num_add
*
*
*
*
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال

FDS8958A مشخصات فنی

دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستور اثر میدان (FET)، آرایه های MOSFET
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Last Time Buy
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
پیکربندی
N and P-Channel
ویژگی FET
Logic Level Gate
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
30V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
7A, 5A
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
16nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
575pF @ 15V
قدرت - حداکثر
900mW
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
بسته دستگاه تامین کننده
8-SOIC
شماره محصول پایه
FDS89

برگ اطلاعات و مستندات

برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
برگه های داده

اطلاعات بیشتر

نام های دیگر
FDS8958A_NL
FDS8958ACT
2156-FDS8958A-OS
FDS8958ADKR
ONSFSCFDS8958A
FDS8958ATR
بسته استاندارد
2,500

طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات

وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

مدل‌های جایگزین

شماره قسمت
IRF9389TRPBF
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
16231
DiGi شماره قطعه
IRF9389TRPBF-DG
قیمت واحد
0.16
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
SP8M10FRATB
تولیدکننده
Rohm Semiconductor
تعداد موجود
1181
DiGi شماره قطعه
SP8M10FRATB-DG
قیمت واحد
0.66
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
onsemi

FDPC8013S

MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33

infineon-technologies

BSD235NH6327XTSA1

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

onsemi

FDS6982S

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC

onsemi

FDC6322C

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6