شماره محصول سازنده:
FDS89161
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDS89161-DG
توضیحات:
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
شرح مفصل:
Mosfet Array 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
موجودی:
22674 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12837663
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDS89161 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستور اثر میدان (FET)، آرایه های MOSFET
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
پیکربندی
2 N-Channel (Dual)
ویژگی FET
-
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
100V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
2.7A
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
4.1nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
210pF @ 50V
قدرت - حداکثر
1.6W
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
بسته دستگاه تامین کننده
8-SOIC
شماره محصول پایه
FDS89
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDS89161TR
FDS89161CT
FDS89161DKR
بسته استاندارد
2,500
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDC6301N_G
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
FDG6308P
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
FDME1034CZT
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET