خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FDS86140
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDS86140-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
شرح مفصل:
N-Channel 100 V 11.2A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12839677
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDS86140 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
100 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
11.2A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
2580 pF @ 50 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
8-SOIC
بسته بندی / مورد
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
شماره محصول پایه
FDS86
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FDS86140
برگه داده HTML
FDS86140-DG
برگه های داده
FDS86140
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDS86140-DG
FDS86140TR
2156-FDS86140-488
FDS86140CT
FDS86140DKR
بسته استاندارد
2,500
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
IRF7854TRPBF
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
16813
DiGi شماره قطعه
IRF7854TRPBF-DG
قیمت واحد
0.62
نوع جایگزین
Direct
شماره قسمت
IRF7493TRPBF
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
4688
DiGi شماره قطعه
IRF7493TRPBF-DG
قیمت واحد
0.57
نوع جایگزین
Direct
شماره قسمت
RS6P100BHTB1
تولیدکننده
Rohm Semiconductor
تعداد موجود
2725
DiGi شماره قطعه
RS6P100BHTB1-DG
قیمت واحد
1.35
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IRF7853TRPBF
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
11350
DiGi شماره قطعه
IRF7853TRPBF-DG
قیمت واحد
0.49
نوع جایگزین
Direct
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDB9406-F085
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
HUF76439P3
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
FQPF34N20
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
NVMFS5C423NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN