خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FDS6612A
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDS6612A-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
شرح مفصل:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
موجودی:
8237 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12851045
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDS6612A مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
30 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
8.4A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
22mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
560 pF @ 15 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
2.5W (Ta)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
8-SOIC
بسته بندی / مورد
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
شماره محصول پایه
FDS6612
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
FDS6612A
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDS6612ADKR
FDS6612ACT
FDS6612ATR
بسته استاندارد
2,500
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
IRF7403TRPBF
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
8205
DiGi شماره قطعه
IRF7403TRPBF-DG
قیمت واحد
0.38
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
DMG4496SSSQ-13
تولیدکننده
Diodes Incorporated
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
DMG4496SSSQ-13-DG
قیمت واحد
0.14
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
DMG4496SSS-13
تولیدکننده
Diodes Incorporated
تعداد موجود
18228
DiGi شماره قطعه
DMG4496SSS-13-DG
قیمت واحد
0.09
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STS10N3LH5
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
4575
DiGi شماره قطعه
STS10N3LH5-DG
قیمت واحد
0.40
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
DMG4466SSS-13
تولیدکننده
Diodes Incorporated
تعداد موجود
9423
DiGi شماره قطعه
DMG4466SSS-13-DG
قیمت واحد
0.09
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FQAF17N40
MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF
IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
FDD6530A
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
FDMC86260ET150
MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33