شماره محصول سازنده:
FDS5672
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDS5672-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
شرح مفصل:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
موجودی:
5013 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12851186
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDS5672 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
60 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
12A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
2200 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
2.5W (Ta)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
8-SOIC
بسته بندی / مورد
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
شماره محصول پایه
FDS56
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDS5672-DG
FDS5672TR
2156-FDS5672-OS
FDS5672DKR
FAIFSCFDS5672
FDS5672CT
بسته استاندارد
2,500
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
HUFA76633P3
MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
FDMC4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
FDS6673BZ-F085
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
