شماره محصول سازنده:
FDN336P
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDN336P-DG
توضیحات:
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
شرح مفصل:
P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
موجودی:
20283 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12847411
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
0GaF
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDN336P مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
نوع FET
P-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
20 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
1.3A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
2.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
1.5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (حداکثر)
±8V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
330 pF @ 10 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
500mW (Ta)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
SOT-23-3
بسته بندی / مورد
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
شماره محصول پایه
FDN336
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDN336PDKR
FDN336PCT
ONSFSCFDN336P
FDN336PTR
2156-FDN336P-OS
FDN336PCT-NDR
FDN336PTR-NDR
بسته استاندارد
3,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FQPF6P25
MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F
FQU9N25TU
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
