شماره محصول سازنده:
FDMS86104
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDMS86104-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
شرح مفصل:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
موجودی:
12836932
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
8zwC
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDMS86104 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
100 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
7A (Ta), 16A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
923 pF @ 50 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
2.5W (Ta), 73W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
8-PQFN (5x6)
بسته بندی / مورد
8-PowerTDFN
شماره محصول پایه
FDMS86
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
2156-FDMS86104-OS
ONSONSFDMS86104
FDMS86104CT
FDMS86104TR
FDMS86104DKR
بسته استاندارد
3,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
BSC252N10NSFGATMA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
12
DiGi شماره قطعه
BSC252N10NSFGATMA1-DG
قیمت واحد
0.45
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STL40N10F7
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
5788
DiGi شماره قطعه
STL40N10F7-DG
قیمت واحد
0.63
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
BSC196N10NSGATMA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
53243
DiGi شماره قطعه
BSC196N10NSGATMA1-DG
قیمت واحد
0.43
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
HUF75309P3
MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
FCPF099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
