FDMA8878
شماره محصول سازنده:

FDMA8878

Product Overview

تولید کننده:

onsemi

شماره قطعه:

FDMA8878-DG

توضیحات:

MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
شرح مفصل:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 10A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

موجودی:

3733 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12848083
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
num_del num_add
*
*
*
*
SSi0
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال

FDMA8878 مشخصات فنی

دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
30 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
9A (Ta), 10A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
16mOhm @ 9A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
720 pF @ 15 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
2.4W (Ta)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
6-MicroFET (2x2)
بسته بندی / مورد
6-WDFN Exposed Pad
شماره محصول پایه
FDMA88

برگ اطلاعات و مستندات

برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
برگه های داده

اطلاعات بیشتر

نام های دیگر
FDMA8878TR
FDMA8878DKR
FDMA8878CT
FDMA8878-DG
بسته استاندارد
3,000

طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات

وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
onsemi

FDN358P

MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3

onsemi

NTB22N06T4

MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK

onsemi

FCPF165N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

onsemi

FDD2572

MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA