شماره محصول سازنده:
FDH27N50
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDH27N50-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
شرح مفصل:
N-Channel 500 V 27A (Tc) 450W (Tc) Through Hole TO-247-3
موجودی:
12847273
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
tgIZ
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDH27N50 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
-
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
500 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
27A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
190mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
3550 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
450W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-247-3
بسته بندی / مورد
TO-247-3
شماره محصول پایه
FDH27
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
300
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
IXFR44N50Q3
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
27
DiGi شماره قطعه
IXFR44N50Q3-DG
قیمت واحد
14.36
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IXTH40N50L2
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IXTH40N50L2-DG
قیمت واحد
23.22
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IXTH30N50P
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IXTH30N50P-DG
قیمت واحد
4.33
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IXFH36N50P
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
126
DiGi شماره قطعه
IXFH36N50P-DG
قیمت واحد
5.53
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STW19NM50N
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
337
DiGi شماره قطعه
STW19NM50N-DG
قیمت واحد
3.02
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
NTD3055-094T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
FDP8443
MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
FDMS86200
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
