FDG6332C
شماره محصول سازنده:

FDG6332C

Product Overview

تولید کننده:

onsemi

شماره قطعه:

FDG6332C-DG

توضیحات:

MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
شرح مفصل:
Mosfet Array 20V 700mA, 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

موجودی:

38 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12838796
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
num_del num_add
*
*
*
*
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال

FDG6332C مشخصات فنی

دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستور اثر میدان (FET)، آرایه های MOSFET
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
پیکربندی
N and P-Channel
ویژگی FET
Logic Level Gate
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
20V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
700mA, 600mA
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
300mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
1.5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
113pF @ 10V
قدرت - حداکثر
300mW
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته بندی / مورد
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
بسته دستگاه تامین کننده
SC-88 (SC-70-6)
شماره محصول پایه
FDG6332

برگ اطلاعات و مستندات

برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
برگه های داده

اطلاعات بیشتر

نام های دیگر
2832-FDG6332CTR
FDG6332CDKR
FDG6332C-DG
FDG6332CCT
FDG6332CTR
بسته استاندارد
3,000

طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات

وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

مدل‌های جایگزین

شماره قسمت
PMGD290UCEAX
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
21818
DiGi شماره قطعه
PMGD290UCEAX-DG
قیمت واحد
0.08
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
NTJD4105CT1G
تولیدکننده
onsemi
تعداد موجود
22900
DiGi شماره قطعه
NTJD4105CT1G-DG
قیمت واحد
0.09
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
onsemi

FDW2502P

MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8TSSOP

onsemi

FDG6302P

MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC88

onsemi

FDMA1029PZ

MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN

onsemi

FDS4897AC

MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC