شماره محصول سازنده:
FDD8876
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDD8876-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
شرح مفصل:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 73A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
موجودی:
8387 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12849524
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
CCHN
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDD8876 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
30 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
15A (Ta), 73A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
8.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
2.5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1700 pF @ 15 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
70W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
TO-252AA
بسته بندی / مورد
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
شماره محصول پایه
FDD887
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDD8876-DG
FDD8876DKR
FDD8876CT
FDD8876TR
بسته استاندارد
2,500
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
IPD30N03S4L09ATMA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
48073
DiGi شماره قطعه
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
قیمت واحد
0.31
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IPD090N03LGATMA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
94138
DiGi شماره قطعه
IPD090N03LGATMA1-DG
قیمت واحد
0.23
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
AOT12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
FDD9407_SN00283
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
