شماره محصول سازنده:
FDD86102
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDD86102-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
شرح مفصل:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
موجودی:
9890 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12837517
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDD86102 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
100 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
8A (Ta), 36A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
24mOhm @ 8A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1035 pF @ 50 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
TO-252AA
بسته بندی / مورد
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
شماره محصول پایه
FDD861
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDD86102TR
FDD86102DKR
2832-FDD86102TR
FDD86102CT
بسته استاندارد
2,500
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FQD2N90TF
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
FDD86569-F085
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
HUF76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
