خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FDD4685
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDD4685-DG
توضیحات:
MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
شرح مفصل:
P-Channel 40 V 8.4A (Ta), 32A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
موجودی:
9998 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12850401
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDD4685 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
نوع FET
P-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
40 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
8.4A (Ta), 32A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
27mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
2380 pF @ 20 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
69W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
TO-252AA
بسته بندی / مورد
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
شماره محصول پایه
FDD468
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FDD4685
برگه داده HTML
FDD4685-DG
برگه های داده
FDD4685
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
ONSONSFDD4685
FDD4685CT
FDD4685DKR
2156-FDD4685-OS
FDD4685TR
بسته استاندارد
2,500
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDB8444TS
MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5
HUF75345S3S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDMS4D5N08LC
MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
FQD4P25TF
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK