شماره محصول سازنده:
FDB8860
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDB8860-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
شرح مفصل:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
موجودی:
1 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12847985
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDB8860 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Cut Tape (CT)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
30 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
80A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
2.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
214 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
12585 pF @ 15 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
254W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
TO-263 (D2PAK)
بسته بندی / مورد
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
شماره محصول پایه
FDB886
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDB8860CT
FDB8860DKR
FDB8860TR
2832-FDB8860TR
2156-FDB8860-OS
ONSONSFDB8860
بسته استاندارد
800
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDM3622
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
MMBF0201NLT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
FDD9409-F085
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK