خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FDB5800
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDB5800-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
شرح مفصل:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
موجودی:
460 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12836870
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
D
u
S
q
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDB5800 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
60 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
14A (Ta), 80A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
2.5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
6625 pF @ 15 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
242W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
TO-263 (D2PAK)
بسته بندی / مورد
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
شماره محصول پایه
FDB580
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FDB5800
برگه داده HTML
FDB5800-DG
برگه های داده
FDB5800
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDB5800DKR
FDB5800CT
FDB5800TR
بسته استاندارد
800
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
BUK966R5-60E,118
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
4779
DiGi شماره قطعه
BUK966R5-60E,118-DG
قیمت واحد
0.89
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IPB80N06S405ATMA2
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
753
DiGi شماره قطعه
IPB80N06S405ATMA2-DG
قیمت واحد
0.78
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IPB054N06N3GATMA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
1043
DiGi شماره قطعه
IPB054N06N3GATMA1-DG
قیمت واحد
0.72
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
PSMN005-75B,118
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
4338
DiGi شماره قطعه
PSMN005-75B,118-DG
قیمت واحد
1.18
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IPB80N06S407ATMA2
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
1176
DiGi شماره قطعه
IPB80N06S407ATMA2-DG
قیمت واحد
0.68
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
3LP01M-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
BS170-D75Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
FDMS0309AS
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN