شماره محصول سازنده:
FDB2710
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDB2710-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
شرح مفصل:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
موجودی:
101 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12837241
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
NkE7
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDB2710 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
PowerTrench®
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
250 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
50A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
42.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
7280 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
260W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
TO-263 (D2PAK)
بسته بندی / مورد
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
شماره محصول پایه
FDB271
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FDB2710TR
FDB2710CT
FDB2710DKR
بسته استاندارد
800
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
IRF540NSTRLPBF
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
7309
DiGi شماره قطعه
IRF540NSTRLPBF-DG
قیمت واحد
0.52
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
CPH6442-TL-E
MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH
FQP2N30
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
FDMS86181E
FET 100V 4.2 MOHM PQFN56
