خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
جمهوری دموکراتیک کنگو
آرژانتین
ترکیه
رومانی
لیتوانی
نروژ
اتریش
آنگولا
اسلواکی
ltaly
فنلاند
بيلوروسي
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
مونته نگرو
روسی
بلژیک
سوئد
صربستان
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
مولدووا
آلمان
هلند
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
فرانسه
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
پرتغال
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
اسپانیا
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FDA24N50
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FDA24N50-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
شرح مفصل:
N-Channel 500 V 24A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-3PN
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12847250
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FDA24N50 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
UniFET™
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
500 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
24A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
190mOhm @ 12A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
4150 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
270W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-3PN
بسته بندی / مورد
TO-3P-3, SC-65-3
شماره محصول پایه
FDA24
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FDA24N50
برگه داده HTML
FDA24N50-DG
برگه های داده
FDA24N50
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
30
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
FDA24N50F
تولیدکننده
onsemi
تعداد موجود
30
DiGi شماره قطعه
FDA24N50F-DG
قیمت واحد
1.87
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FDME510PZT
MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
FQP47P06
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
FDD16AN08A0_NF054
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
FDA62N28
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN