خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
جمهوری دموکراتیک کنگو
آرژانتین
ترکیه
رومانی
لیتوانی
نروژ
اتریش
آنگولا
اسلواکی
ltaly
فنلاند
بيلوروسي
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
مونته نگرو
روسی
بلژیک
سوئد
صربستان
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
مولدووا
آلمان
هلند
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
فرانسه
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
پرتغال
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
اسپانیا
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FCP25N60N-F102
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FCP25N60N-F102-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12851380
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
L
h
7
V
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FCP25N60N-F102 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
-
سری
SupreMOS™
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
25A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
3352 pF @ 100 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
216W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FCP25N60
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FCP25N60N-F102
برگه داده HTML
FCP25N60N-F102-DG
برگه های داده
FCP25N60N_F102
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
2832-FCP25N60N-F102-488
FCP25N60NF102
2832-FCP25N60N-F102
FCP25N60N_F102
FCP25N60N_F102-DG
بسته استاندارد
800
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
AOT42S60L
تولیدکننده
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
تعداد موجود
16990
DiGi شماره قطعه
AOT42S60L-DG
قیمت واحد
2.63
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
AOTF42S60L
تولیدکننده
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
تعداد موجود
1270
DiGi شماره قطعه
AOTF42S60L-DG
قیمت واحد
2.89
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IPP60R125CPXKSA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
4944
DiGi شماره قطعه
IPP60R125CPXKSA1-DG
قیمت واحد
3.00
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
BSC046N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
FDS4672A
MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
FQNL1N50BBU
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
FDPF5N50FT
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F