خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FCP190N65S3R0
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FCP190N65S3R0-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12837547
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
u
e
i
S
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FCP190N65S3R0 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
SuperFET® III
وضعیت محصول
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
650 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
17A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4.5V @ 1.7mA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1350 pF @ 400 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
144W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FCP190
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FCP190N65S3R0
برگه داده HTML
FCP190N65S3R0-DG
برگه های داده
FCP190N65S3R0
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
488-FCP190N65S3R0TR
488-FCP190N65S3R0CT
488-FCP190N65S3R0DKRINACTIVE
FCP190N65S3R0-DG
488-FCP190N65S3R0DKR-DG
488-FCP190N65S3R0DKR
بسته استاندارد
50
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
IXFP22N65X2
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IXFP22N65X2-DG
قیمت واحد
2.43
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IPP60R199CPXKSA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
512
DiGi شماره قطعه
IPP60R199CPXKSA1-DG
قیمت واحد
1.75
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IPP65R190C7FKSA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
499
DiGi شماره قطعه
IPP65R190C7FKSA1-DG
قیمت واحد
1.23
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STP24N60DM2
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
105
DiGi شماره قطعه
STP24N60DM2-DG
قیمت واحد
1.48
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IPP60R170CFD7XKSA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
425
DiGi شماره قطعه
IPP60R170CFD7XKSA1-DG
قیمت واحد
1.31
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FQP7N65C
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
FQB46N15TM_AM002
MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
FDWS9408-F085
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
FQA22P10
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN