خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FCP11N60
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FCP11N60-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
739 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12851480
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FCP11N60 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tube
سری
SuperFET™
وضعیت محصول
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
11A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1490 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
125W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
FCP11
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
FCP11N60
برگه داده HTML
FCP11N60-DG
برگه های داده
FCP11N60, FCPF11N60
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
FCP11N60_NL
2156-FCP11N60-OS
FCP11N60_NL-DG
بسته استاندارد
50
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
IXTP12N65X2
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IXTP12N65X2-DG
قیمت واحد
2.28
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STP13N60M2
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
971
DiGi شماره قطعه
STP13N60M2-DG
قیمت واحد
0.76
نوع جایگزین
Direct
شماره قسمت
STP13NM60ND
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
87
DiGi شماره قطعه
STP13NM60ND-DG
قیمت واحد
1.64
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
AOT11S60L
تولیدکننده
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
تعداد موجود
1100
DiGi شماره قطعه
AOT11S60L-DG
قیمت واحد
0.93
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IXFP22N60P3
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
1
DiGi شماره قطعه
IXFP22N60P3-DG
قیمت واحد
2.48
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
HUF75307D3ST
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
FDMC86260
MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
IPA70R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
BSS123LT3G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3