خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
FCA20N60
Product Overview
تولید کننده:
onsemi
شماره قطعه:
FCA20N60-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-3PN
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12846035
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
FCA20N60 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
onsemi
بسته بندی
Tube
سری
SuperFET™
وضعیت محصول
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
20A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
3080 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
208W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-3PN
بسته بندی / مورد
TO-3P-3, SC-65-3
شماره محصول پایه
FCA20
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
FCH20N60, FCA20N60(_F109)
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
2832-FCA20N60-488
FCA20N60_NL
FCA20N60_NL-DG
2832-FCA20N60
FCA20N60-NDR
بسته استاندارد
30
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
FCA20N60-F109
تولیدکننده
onsemi
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
FCA20N60-F109-DG
قیمت واحد
3.52
نوع جایگزین
Parametric Equivalent
شماره قسمت
FCA22N60N
تولیدکننده
Fairchild Semiconductor
تعداد موجود
545
DiGi شماره قطعه
FCA22N60N-DG
قیمت واحد
4.38
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
STW24N60M2
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
562
DiGi شماره قطعه
STW24N60M2-DG
قیمت واحد
1.39
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
IXFQ50N60P3
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IXFQ50N60P3-DG
قیمت واحد
5.29
نوع جایگزین
Similar
شماره قسمت
R6024KNZ1C9
تولیدکننده
Rohm Semiconductor
تعداد موجود
3
DiGi شماره قطعه
R6024KNZ1C9-DG
قیمت واحد
3.03
نوع جایگزین
Similar
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FCPF11N60F
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AON7566
MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN
AOT20C60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
FDP085N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3