خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
SPD02N60S5BTMA1
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
SPD02N60S5BTMA1-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO252-3
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12807661
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
X
Y
K
S
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
SPD02N60S5BTMA1 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
-
سری
CoolMOS™
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
1.8A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5.5V @ 80µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
240 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
25W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TO252-3-11
بسته بندی / مورد
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
شماره محصول پایه
SPD02N
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
SPD02N60S5BTMA1
برگه داده HTML
SPD02N60S5BTMA1-DG
برگه های داده
SP(U,D)02N60S5
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
2156-SPD02N60S5BTMA1-ITTR
SPD02N60S5INCT
SPD02N60S5BTMA1DKR
SPD02N60S5-DG
SPD02N60S5INDKR
SPD02N60S5
SPD02N60S5XT
SPD02N60S5BTMA1CT
INFINFSPD02N60S5BTMA1
SPD02N60S5INTR-DG
SPD02N60S5INCT-DG
SP000083074
SPD02N60S5INTR
SPD02N60S5BTMA1TR
SP000313943
SPD02N60S5INDKR-DG
بسته استاندارد
2,500
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
STD2HNK60Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
4443
DiGi شماره قطعه
STD2HNK60Z-DG
قیمت واحد
0.45
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STD2N62K3
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
2192
DiGi شماره قطعه
STD2N62K3-DG
قیمت واحد
0.54
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STD3N62K3
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
3586
DiGi شماره قطعه
STD3N62K3-DG
قیمت واحد
0.36
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
IPD60R3K3C6ATMA1
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
4490
DiGi شماره قطعه
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
قیمت واحد
0.22
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STD3NK60ZT4
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
6554
DiGi شماره قطعه
STD3NK60ZT4-DG
قیمت واحد
0.44
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
SPB08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3
SPP15N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
SPP100N03S2-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
SPP04N80C3XK
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3